抑制异质结非辐射复合对于实现高性能半导体光电器件至关重要。针对该科学问题，com6774澳门永利物理与电子科学学院保秦烨教授课题组详细探索了卤化物半导体/有机半导体异质结的电子结构物性，提出了一种协同双分子（SBI）界面调控策略，构筑出具有优异载流子提取的异质结，并应用于模型器件钙钛矿光伏器件进行验证，创造了非辐射复合损失仅59 meV。
Nature Communications 刊登保秦烨教授课题组研究成果
近期，该研究成果以“Reducing nonradiative recombination for highly efficient inverted perovskite solar cells via a synergistic bimolecular interface”为题发表在 Nature Communications 上，com6774澳门永利为论文第一完成单位，保秦烨教授为论文通讯作者。
图1.通过高分辨光电子能谱超高真空互联原位表征系统（ARUPS/IPES/XPS）和KPFM，发现SBI诱导表面原位反应，重构卤化物半导体表面能量分布，形成电负性双偶极，从而与有机半导体PCBM的整数电荷转移态Integer Charge Transfer（ITC）销钉，显著增强异质结界面处电子提取的效能。
图2.本工作同时实现光伏器件高的开路电压和低的非辐射复合损失。
该研究得到了科技部重点研发计划､基金委优青､国际合作重点项目的支持。该工作得到了com6774澳门永利公共创新服务平台—“物质表征中心”高分辨超高真空光电子能谱原位分析系统（闵行）的支持，以及精密光谱科学与技术国家重点实验室在超快动力学方面的支持。
附：
论文链接：https://www.nature.com/articles/s41467-024-50019-3
来源｜物理与电子科学学院、科技处 编辑｜史佳妮 编审｜吕安琪
